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CIQTEK、非破壊・高解像度フルカバレッジ解析を実現する12インチウェーハ検査ソリューションを発表
CIQTEK 次世代の 12インチウエハー 走査型電子顕微鏡(SEM) 解決 は、高度な半導体製造プロセスの要求を満たすように設計されています。回転や傾斜を必要とせずにウェーハ全体を検査できるこの革新的なソリューションは、高解像度の非破壊分析を実現し、重要なプロセス開発をサポートします。
搭載 超大型移動ステージ (X/Y ≥ 300 mm)のシステムは、12インチウェーハを完全にカバーし、サンプルの切断や搬送を必要とせず、真の「原寸大、原位置」観察を実現します。 ショットキー電界放出電子銃 、解像度は 1.0 nm 15 kV で 1.5 nm、1 kV で 1.5 nm の分解能を実現し、電子ビームによる損傷を最小限に抑えるため、敏感な材料や構造に最適です。
主な特徴 含む:
超大型移動ステージ (X/Y > 300 mm)フルウェーハ検査用
高解像度画像 : 15 kVで1.0 nm、1 kVで1.5 nm
自動ロード そして 光学航法システム 迅速なウエハ交換と正確な位置決めを実現
インテリジェントソフトウェア オートフォーカス、非点収差補正、マルチフォーマット画像出力用
CIQTEK の 12 インチ ウェーハ検査 SEM は単なる観察ツールではありません。半導体製造における歩留まりの向上とノードの微細化を推進する重要な機器です。
9月26日~30日、武漢 CIQTEKは 8つの最先端電子顕微鏡ソリューション で 2025年中国電子顕微鏡会議 !
ガ + 集束イオンビーム電界放出走査電子顕微鏡 その CIQTEK DB550 集束イオンビーム走査電子顕微鏡(FIB-SEM) ナノ分析および試料作製用の集束イオンビームカラムを備えています。「スーパートンネル」電子光学技術、低収差、非磁性対物レンズ設計を採用し、「低電圧・高分解能」という特長により、ナノスケールの分析能力を確保しています。 イオンカラムはGa + 極めて安定かつ高品質のイオンビームを発生する液体金属イオン源を搭載し、ナノファブリケーションを実現します。DB550は、ナノマニピュレーター、ガスインジェクションシステム、そしてユーザーフレンドリーなGUIソフトウェアを統合した、オールインワンのナノ分析・ファブリケーションワークステーションです。
超高解像度電界放出走査電子顕微鏡(FESEM) その CIQTEK SEM5000X は、最適化された電子光学カラム設計を採用した超高分解能FESEMです。全体的な収差を30%低減し、0.6nm@15kVおよび1.0nm@1kVという超高分解能を実現しています。高い分解能と安定性により、先端ナノ構造材料研究やハイテクノードの半導体ICチップの開発・製造において優位性を発揮します。
超高解像度 タングステンフィラメント走査型電子顕微鏡 その CIQTEK SEM3300 走査型電子顕微鏡(SEM) 「スーパートンネル」電子光学系、インレンズ電子検出器、静電・電磁複合対物レンズなどの技術を採用しています。これらの技術をタングステンフィラメント顕微鏡に適用することで、長年のSEMの分解能限界を突破し、これまで電界放出型SEMでしか実現できなかった低電圧分析をタングステンフィラメントSEMで実行できるようになります。
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