最先端のEPR研究のために古いEPR分光法を近代化・アップグレードしましょう
この近代化により、次のような機能が提供されます。 :
▶ 高感度: 超低ノイズマイクロ波源および信号検出技術
▶ より良い解像度: 精密磁場制御技術
▶ 優れた互換性: 幅広いEPR分光計と互換性あり
▶ 迅速な配送: 最新化されたハードウェアの納品は2~6ヶ月以内に完了します
▶ 高品質なサービス: オンサイト設置と2年間の保証
★ 詳細についてはメールでお問い合わせください: info@ciqtek.com
▶ CIQTEK EPR分光法 近代化 経路
▶ マイクロ波ブリッジ
CWマイクロ波ブリッジの機能
Xバンド
• マイクロ波周波数範囲:9.2~9.9GHz
• レベルモードでの最大出力マイクロ波電力:200 mW
• マイクロ波減衰器:0~60 dB(1 dBステップ)
• 自動および手動のチューニングをサポート
• Qバンドへの近代化が可能
• サイズ: 85 × 62 × 18 cm
Qバンド
• マイクロ波周波数: ≈ 34 GHz
• マイクロ波出力範囲: 50~80 mW
• マイクロ波減衰器:0~50 dB(1 dBステップ)
• サイズ: 56 × 56 × 13 cm
パルスマイクロ波増幅器の特長
ソリッドステートアンプは、進行波管アンプと同様の直線性と相互変調歪みを備えています。しかし、小型で長寿命であり、高電圧電源や定期的な動作を必要としません。
Xバンド
• マイクロ波増幅器出力:450 W
• サイズ: 48 x 44 x 22 cm
Qバンド
• ソリッドステートパワーアンプ出力:150 W
• サイズ: 43 × 35 × 15 cm
▶ EPR 分光計コンソールと磁気電源
CWパーツの特徴
1. 磁場コントローラ: サンプル領域における磁場安定性:10 mG/時間;動作範囲:-0.1~1.8 T
2. デジタルロックイン検出
3. 超安定マグネット電源
4. 変調周波数範囲: 0.5~120 kHz
パルス部品の特徴
データ収集ユニット
• チャンネル数:2
• サンプリングレート: 1 GHz
• 内部および外部トリガーモードをサポート
パルスジェネレータ
• 12のデジタルチャンネル
• 時間分解能: 0.05 ns
共振器
▶ 高Q共振器
1. 空洞共振周波数:9.5~9.9GHz
2. 無負荷Q ≥ 18,000(臨界結合)
3. 最大変調磁場振幅:20ガウス
4. 窒素およびヘリウム可変tに対応 温度システム
5. オートチューン利用可能
共振器幅:50 mm
光学窓:Ø5mm、光ファイバー対応
最大サンプルアクセス径: Ø 10 mm
▶ デュアルモード共振器
1. 空洞共振周波数:9.6~10GHz(垂直モード)9.4~9.8GHz(平行モード)
2. 最大変調磁場振幅:10ガウス
3. 窒素およびヘリウム可変tに対応 温度システム
共振器幅: 46 mm
光学窓:Ø5mm、光ファイバー対応
最大サンプルアクセス径: Ø 10 mm
▶ PW-4201-DR パルス共振器
1. 空洞共振周波数:9.4~9.8GHz
2. 共振器帯域幅:400±40MHz
3. 検出デッドタイム: ≤ 100 ns
4. 窒素およびヘリウム可変温度システムに対応
サンプルロッド: 423 mm
光学窓:5 × 12.5 mm
フランジ:KF50
使用可能なサンプルチューブの直径: 外径3 mmまたは4 mm
▶ ENDORパルス共振器
1. 空洞共振周波数:9.4~9.8GHz
2. 共振器帯域幅:400±40MHz
3. 検出デッドタイム: ≤ 100 ns
4. 窒素およびヘリウム可変温度システムに対応
サンプルロッド: 423 mm
光学窓:5 × 12.5 mm
フランジ:KF50
使用可能なサンプルチューブの直径: 外径3 mmまたは4 mm
極低温システム
▶ 液体ヘリウム連続フロー極低温システム
サンプルエリアの制御可能な温度範囲:3.2/4.4~300 K
温度安定性: ± 0.1 K (液体ヘリウム温度域内)
急速冷却:冷却時間 < 30 分
液体ヘリウムの損失が少ない
簡単なインストール
▶ 液体ヘリウムフリードライクライオシステム
サンプルエリアの制御可能な温度範囲:4~300 K
温度安定性: ± 0.1 K (液体ヘリウム温度域内)
より広い温度制御範囲
安定して簡単な操作
サンプル交換後の急速な温度回復(<30分)
極めて低い運用コスト
High-Q共振器およびデュアルモード共振器と互換性があります。
DR パルス共振器および ENDOR 共振器と互換性があります。
キャビティID: 45 mm (ウェットシステム)、43 mm (ドライシステム)
▶ 液体窒素可変温度システム
サンプルエリアの制御可能な温度範囲:100~600 K
温度安定性: ± 0.2 K
急速冷却:冷却時間 < 30 分
高温試験に対応