CIQTEK DB550デュアルビームFIB-SEMは、高解像度電子イメージングと高精度イオンビーム加工を単一のプラットフォームに統合した製品です。
CIQTEKは、 DB550集束イオンビーム走査型電子顕微鏡 （FIB-SEM）による実際の5nmプロセスノードチップサンプルの分析、 フィン構造が損なわれておらず、非晶質化が全くなく、膜層が明確に分離されている、生産準備が整ったTEM試料作製を実証しました。この結果は、DB550が最先端のプロセス技術に取り組む高度な半導体故障解析ラボの厳しい要求を満たしていることを裏付けています。
先端チップの研究開発と製造において、最も重要なツールが2つあります。透過型電子顕微鏡（TEM）は、原子スケールの構造を観察することを可能にします。しかし、観察するには、電子が透過できるほど薄い試料が必要です。そこで登場するのが、デュアルビームFIB-SEMです。これは、そのような極薄試料を作製するための精密な作業場と言えるでしょう。
DB550のご紹介：イメージングとナノスケール処理のための統合プラットフォーム
の CIQTEK DB550 FIB-SEM このシステムは、2つの強力な機能を単一のプラットフォームに統合しています。一方では、走査型電子顕微鏡（SEM）が高解像度の表面画像を提供し、他方では、集束イオンビーム（FIB）が外科手術のような精密さでナノスケールの材料除去を行います。これら2つの機能により、10億分の1メートルという極めて微細なレベルでの観察と加工のギャップを埋めることができます。
DB550の中核を成すのは 低電圧・高分解能電子カラム CIQTEK独自の技術と組み合わせた 「成英」イオンカラム 完全に自社開発されたChengyingカラムは、システムのナノスケール切断およびエッチング機能の原動力となるものです。CIQTEKは、この重要なコンポーネントの設計から製造までの全工程を管理しています。
5nmの課題：なぜサンプル準備はノードごとに難しくなるのか
で 5nm以下 チップアーキテクチャは、フィン幅とピッチがわずか数ナノメートルのフィン型電界効果トランジスタ（FinFET）に依存しています。DB550は、これらの要求の厳しいプロセスノード向けのサンプル準備ワークフロー全体を処理するように設計されています。 高電流粗切削 大量の材料を素早く除去し、目的の領域に到達する。その後、 低電圧精密研磨 試料を透過型電子顕微鏡（TEM）観察に適したサイズまで薄くするが、その際、下にある繊細な構造を損傷しないようにする。
TEM検証：証拠は画像にある
CIQTEK DB550上で5nmプロセスノードのチップサンプルを作製し、特性評価のためにTEMに移送した。結果は一目瞭然だ。
DB550で作成した5nmチップサンプルのTEM観察では、フィン構造は損傷がなく、膜層は明確で明確に定義されており、非晶質化による損傷は見られなかった。
TEM画像では、 鰭の構造は完全に無傷のままだった FIB処理後、シリコン結晶格子に検出可能な非晶質化は見られなかった。個々の膜層は 明瞭で鮮明な TEM断面において、これらの結果は、DB550のデュアルビーム試料作製性能が最先端のプロセスノードにおいて優れていることを証明するものである。
信頼性を追求した設計、長期使用を想定した製造
電子顕微鏡は半導体故障解析ラボの中核ツールです。CIQTEKはDB550をゼロから開発し、完全なテクノロジースタックをカバーしています。 コアハードウェアから基盤となるアルゴリズムまで 独自のChengyingイオンカラム、電子光学系、ステージ機構、および制御ソフトウェアはすべて、統合システムとして設計および最適化されています。
設計全体を自社で管理することで、サプライチェーンの回復力が強化されます。すべての重要部品は、CIQTEKの管理された開発パイプラインを通じて調達されます。生産歩留まり分析や故障調査のために機器の稼働時間に依存する半導体ラボにとって、この予測可能性は非常に重要です。
CIQTEKはDB550を以下の点でサポートしています。 継続的で信頼性の高い、迅速な技術サポート 同社はまた、研究室が新しいプロセスノードや斬新なデバイスアーキテクチャ向けの調製レシピを開発・最適化できるよう、アプリケーションサポートも提供している。
