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CIQTEK、テキサス顕微鏡学会60周年記念会議(TSM 2026)に参加
CIQTEK は、 テキサス顕微鏡学会(TSM)創立60周年記念会議 、開催予定日 2026年2月19日~20日 、 で テキサス大学オースティン校(米国) 。
顕微鏡コミュニティへの60年にわたる貢献を記念するTSM 2026では、研究者、施設管理者、そして業界の専門家が一堂に会し、顕微鏡の伝統と未来について議論します。CIQTEKは、この節目のイベントに参加し、テキサス州および米国の顕微鏡コミュニティ全体と交流できることを光栄に思います。
TSM 2026では、CIQTEKは成長を続けるポートフォリオを展示します。 電子顕微鏡(EM) 学術研究、共有施設、産業研究所の進化するニーズを満たすように設計されています。
CIQTEKのEM製品ライン 日常的なイメージングから高度な材料特性評価まで、幅広いアプリケーションをカバーします。
透過型電子顕微鏡(TEM) ナノスケールでの高解像度の構造および組成分析を可能にする
FIB-SEMシステム 材料科学および産業検査向けに明るさと解像度を向上させます
電界放出SEM(FE-SEM) 高解像度画像、分析ワークフロー、そして要求の厳しい研究環境向けに設計されています
タングステンフィラメントSEM 教育実験や日常的な分析に安定した性能と費用対効果の高いソリューションを提供します
CIQTEKはポートフォリオ全体を通じて、 信頼性の高い画像性能、直感的なシステム操作、そして長期的な所有価値 研究室が不必要な複雑さなしに一貫した結果を達成できるように支援します。
CIQTEKは、TSMのような会議を、機器の発表の機会としてだけでなく、有意義な技術交流のプラットフォームとしても捉えています。会議中、CIQTEKチームは、材料科学、ライフサイエンス、産業用途のユーザーの皆様と、顕微鏡観察における実世界の課題、システム選定の検討事項、そして長期的な運用ニーズについて議論できることを楽しみにしています。
CIQTEK EM ソリューションの詳細や潜在的なコラボレーションの検討にご興味のある参加者の皆様、CIQTEK はオースティンでの会議中の会話を心より歓迎いたします。
北米のお客様により良いサービスを提供するために、 CIQTEKは米国に現地支店を構えている。 電子顕微鏡ユーザー向けに地域的な販売サポート、アプリケーションのコンサルティング、長期にわたるサービス支援を提供します。
CIQTEK EMソリューションに関する詳細情報、またはCIQTEK USAチームへのお問い合わせについては、下記までご連絡ください。 info.usa@ciqtek.com 。
120kV 電界放射型透過電子顕微鏡 (TEM) 1.分割されたワークスペース: ユーザーは、TEM への環境干渉を軽減する分割された部屋で快適に TEM を操作できます。 2.高い運用効率: 指定されたソフトウェアは高度に自動化されたプロセスを統合し、リアルタイム監視による効率的な TEM インタラクションを可能にします。 3.アップグレードされた操作体験: 高度に自動化されたシステムを備えた電界放出型電子銃を搭載。 4.高い拡張性: ユーザーがより上位の構成にアップグレードできるように、さまざまなアプリケーション要件を満たす十分なインターフェイスが確保されています。
超高解像度 タングステンフィラメント走査型電子顕微鏡 その CIQTEK SEM3300 走査型電子顕微鏡(SEM) 「スーパートンネル」電子光学系、インレンズ電子検出器、静電・電磁複合対物レンズなどの技術を採用しています。これらの技術をタングステンフィラメント顕微鏡に適用することで、長年のSEMの分解能限界を突破し、これまで電界放出型SEMでしか実現できなかった低電圧分析をタングステンフィラメントSEMで実行できるようになります。
ガ + 集束イオンビーム電界放出走査電子顕微鏡 その CIQTEK DB550 集束イオンビーム走査電子顕微鏡(FIB-SEM) ナノ分析および試料作製用の集束イオンビームカラムを備えています。「スーパートンネル」電子光学技術、低収差、非磁性対物レンズ設計を採用し、「低電圧・高分解能」という特長により、ナノスケールの分析能力を確保しています。 イオンカラムはGa + 極めて安定かつ高品質のイオンビームを発生する液体金属イオン源を搭載し、ナノファブリケーションを実現します。DB550は、ナノマニピュレーター、ガスインジェクションシステム、そしてユーザーフレンドリーなGUIソフトウェアを統合した、オールインワンのナノ分析・ファブリケーションワークステーションです。
超高解像度電界放出走査電子顕微鏡(FESEM) その CIQTEK SEM5000X は、最適化された電子光学カラム設計を採用した超高分解能FESEMです。全体的な収差を30%低減し、0.6nm@15kVおよび1.0nm@1kVという超高分解能を実現しています。高い分解能と安定性により、先端ナノ構造材料研究やハイテクノードの半導体ICチップの開発・製造において優位性を発揮します。
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